Samsung Electronics et SK Hynix investissent à nouveau dans leurs usines chinoises pour produire des puces mémoire plus avancées. Les deux géants sud-coréens des semi-conducteurs cherchent ainsi à répondre à deux défis : la demande massive des centres de données dédiés à l’IA et la concurrence croissante des fabricants chinois.

Samsung Electronics et SK Hynix en 2026.
Samsung Electronics et SK Hynix en 2026. Source : TradingView

Les usines chinoises doivent rester à la pointe

Samsung prévoit de moderniser son usine de Xi’an pour y produire de la mémoire NAND à 286 couches. Ce site est stratégique : il assure environ 40 % de la production mondiale de NAND du groupe.

Selon Reuters, Samsung souhaite porter la production de ces nouvelles puces d’environ 5 000 plaquettes de silicium par mois à la fin de cette année à 40 000 par mois fin 2027. De son côté, SK Hynix prépare la modernisation de son usine de Dalian.

Ce site fabrique actuellement des puces NAND à 192 couches. Le groupe veut passer à des puces de 240 couches ou plus. Un nombre de couches plus élevé permet d’accroître la densité de stockage et de réduire le coût par bit.

Les restrictions américaines restent un obstacle

Ces projets de modernisation sont politiquement sensibles. Depuis 2022, Washington restreint les exportations vers la Chine d’équipements de pointe destinés à la fabrication de semi-conducteurs.

Samsung et SK Hynix doivent donc demander chaque année l’autorisation d’installer certains équipements américains dans leurs usines chinoises.

Ces contraintes rendent les modernisations technologiques plus complexes et plus coûteuses. Les deux groupes affirment mener ces travaux en étroite coordination avec les autorités américaines.

Le concurrent chinois gagne du terrain

Ces restrictions ont, dans le même temps, laissé le champ libre au concurrent local YMTC. Le fabricant chinois détenait environ 38,5 % du marché chinois de la mémoire NAND au deuxième trimestre, contre 28 % sur l’ensemble de l’année 2025.

YMTC a ainsi dépassé Samsung, dont la part de marché est tombée à environ 33,5 %. Le groupe chinois produit désormais aussi de la mémoire NAND à 294 couches en quantités limitées et travaille sur des puces de plus de 300 couches.

L’IA renforce les enjeux de cette concurrence

Le calendrier est crucial. La mémoire NAND équipe les smartphones, les ordinateurs et surtout les SSD destinés aux centres de données.

Plus la demande d’infrastructures dédiées à l’IA augmente, plus les mémoires de pointe deviennent essentielles. Samsung et SK Hynix doivent donc poursuivre leurs investissements technologiques en Chine, alors que Washington cherche précisément à freiner les progrès de l’industrie chinoise des semi-conducteurs.

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